作为首席专家承担某太赫兹器件型号项目，作为项目负责人承担国防科技创新特区项目、微电子预研项目和国家重点研发计划子课题等十余项。

作为首席专家承担某太赫兹器件型号项目，作为项目负责人承担国防科技创新特区项目、微电子预研项目和国家重点研发计划子课题等十余项。

在长期跟踪研制二代半导体GaAs二极管倍频源的工作基础上，创新提出采用三代半导体GaN二极管替代现有GaAs二极管产品，成功研制出国际首款氮化镓太赫兹倍频模块，目前在220GHz和340GHz输出功率远高于国际上GaAs倍频器现有水平；提出GaN二维电子气结合超材料结构的太赫兹直接调制技术，将国际太赫兹直接调制速率提高了一个数量级。已在Nature photonics等国际顶级刊物上发表相关论文30余篇，授权专利20项。主持预研项目、型号项目和科技部重点研发计划等项目10余项。作为第一完成人获得河北省技术发明二等奖；作为主要贡献者，分别获河北省技术技术进步一等奖、中国电子学会技术发明一等奖和等省部级奖。